清洗不但是半導(dǎo)體生產(chǎn)制造加工工藝的關(guān)鍵構(gòu)成部分，也是危害半導(dǎo)體元器件良品率的主要要素之一。清洗是晶圓生產(chǎn)加工和生產(chǎn)制造環(huán)節(jié)中的一個關(guān)鍵部分。為了更好地將殘渣對處理芯片良品率的危害減少，在現(xiàn)實生產(chǎn)過程中，不但要確保一次清洗的高效率，并且要在幾乎全部加工工藝前后左右開展經(jīng)常的清洗。它是光伏電池芯片生產(chǎn)制造、光刻技術(shù)、離子注入、堆積等重要加工工藝中不可或缺的階段。

　　1、在單晶硅片生產(chǎn)制造環(huán)節(jié)中，必須對打磨拋光單晶硅片開展清洗，以保障其表層平面度和性能，進(jìn)而提升后面生產(chǎn)加工的良品率。

　　2、在晶圓制造全過程中，必須在光刻技術(shù)、蝕刻加工、離子引入、開膠、涂膜、研磨拋光等重要工藝流程前后左右對晶圓開展清洗，以除去晶圓環(huán)境污染的有機(jī)化學(xué)殘渣，減少缺陷率，提升良品率。

　　3、在集成電路芯片全過程中，必須依據(jù)封裝形式加工工藝對處理器開展TSV(硅破孔)清洗、UBM/RDL(突點(diǎn)底端金屬材料/膜重遍布技術(shù)性)清洗和鍵合清洗。

　　在進(jìn)到每一個加工工藝以前，單晶硅片表層務(wù)必清理，清潔流程務(wù)必多次，以除去表層上的污染物質(zhì)。芯片制造必須在無塵室房間內(nèi)開展。在芯片制造全過程中，一切環(huán)境污染都是會危害處理芯片上元器件的。環(huán)境污染殘渣就是指半導(dǎo)體生產(chǎn)制造環(huán)節(jié)中引進(jìn)的一切化學(xué)物質(zhì)，這種物質(zhì)會嚴(yán)重危害處理芯片的產(chǎn)銷量和電氣設(shè)備性能。實際污染物質(zhì)包含細(xì)顆粒物、有機(jī)化合物、金屬材料和純天然空氣氧化層。如果不立即消除以上受環(huán)境污染的殘渣，很有可能造成后面加工工藝不成功，造成電氣設(shè)備常見故障，造成處理芯片損毀。

　　依據(jù)世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計協(xié)會(WSTS)公布的預(yù)測分析匯報，因為對處理芯片的強(qiáng)悍要求，2021年全世界半導(dǎo)體銷售總額將大幅度提高。預(yù)估將提高19.7%至5272.23億美元，遠(yuǎn)高于2020年12月預(yù)估的4694.03億美元(年提高8.4%)。

　　伴隨著半導(dǎo)體工業(yè)生產(chǎn)的飛速發(fā)展，對清理純水電導(dǎo)率、離子含量、TOC、DO和顆粒的需求更加嚴(yán)苛。因為超純水在很多指標(biāo)值上對半導(dǎo)體的標(biāo)準(zhǔn)很高，因而半導(dǎo)體領(lǐng)域的超純水與別的行業(yè)的自來水規(guī)定不一樣。半導(dǎo)體領(lǐng)域?qū)Τ兯袠O為嚴(yán)謹(jǐn)?shù)乃w規(guī)定?，F(xiàn)階段，中國常見的超純水規(guī)范有國家行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)《電子級水》(GB/T11446.1-2013)和美國規(guī)范《電子和半導(dǎo)體行業(yè)用超純水指南》(ASTM-D5127-13)。美國標(biāo)準(zhǔn)對指標(biāo)值規(guī)定更嚴(yán)苛。

　　在半導(dǎo)體生產(chǎn)過程中，硼是一種P型殘渣。過多會使N型硅翻轉(zhuǎn)，進(jìn)而危害電子器件和空穴的濃度值。因而，在超純水工業(yè)生產(chǎn)中應(yīng)考慮到硼的除去。電子器件和半導(dǎo)體工業(yè)級超純水規(guī)范指引(ASTM-D5127-13)規(guī)定硼離子≤0.05ine1.3μg/L。假如硼離子含量可以做到較低的指標(biāo)值，則必定會改進(jìn)半導(dǎo)體的性能。

　　半導(dǎo)體超純水加工工藝中Huncotte系統(tǒng)軟件采用核級環(huán)氧樹脂，可根據(jù)特有的靶向治療離子互換環(huán)氧樹脂合理自動控制系統(tǒng)出水量的硼離子含量。選用IPC-MS檢驗硼離子含量，并對硼離子流出物開展剖析≤0.005μG/L遠(yuǎn)小于硼離子的規(guī)定≤ASTM-D5127-13規(guī)范中E1.3中的0.05μg/L。大家堅信更優(yōu)質(zhì)的超純水可以給半導(dǎo)體產(chǎn)生更佳的性能，給半導(dǎo)體公司產(chǎn)生更強(qiáng)的優(yōu)點(diǎn)。